芯片新品技术专题 · 共 1 篇内容

# 碳化硅SiC MOSFET

「碳化硅SiC MOSFET」是电子工程与芯片新品领域的重要技术专题。纳米网为您深度聚合了 1 篇关于 碳化硅SiC MOSFET 的硬件电路设计方案、芯片选型参数对比、产业动态研判与原厂参考资料(最近更新于 2026年06月)。核心收录议题涵盖《英飞凌推出面向电动汽车逆变器的全新EiceDRIVER™ 栅极驱动,在降低物料清单成本的同时提升功率级利用率》等实战工程解析。工程师可结合站内芯片选型库与 Datasheet 资料库进行一站式方案验证。

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英飞凌推出面向电动汽车逆变器的全新EiceDRIVER™ 栅极驱动,在降低物料清单成本的同时提升功率级利用率

英飞凌推出面向电动汽车逆变器的全新EiceDRIVER™ 栅极驱动,在降低物料清单成本的同时提升功率级利用率

英飞凌科技股份公司**推出了专为纯电动汽车(BEV)牵引逆变器设计的全新增强型隔离式栅极驱动IC产品系列**:EiceDRIVER™ 1EDI3040AS和1EDI3041AS。该系列同时支持IGBT和碳化硅(SiC)MOSFET,相比市面上常见的解决方案,可让特定功率级释放出更多可用性能,并将丰富的功能集成于单个栅极驱动IC之中。这有助于整车厂(OEM)和一级供应商(Tier-1)减少所需的外部